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MRF6S23140HR3 MRF6S23140HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
300
11
17
0.5
0
60
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
VDD
= 28 Vdc
IDQ
= 1300 mA
f = 2350 MHz
TC
= ?30
C
25C
?30C
100
10
16
15
14
13
12
C
50
40
30
20
10
Figure 11. Power Gain versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
η
D
, DRAIN EFFICIENCY (%)
ηD
Gps
G
ps
, POWER GAIN (dB)
G
ps
, POWER GAIN (dB)
250
11
16
0 20050
100 150
12
14
13
15
IDQ
= 1300 mA
f = 2350 MHz
85C
25
85C
= 24 V
28
V
32
V
Figure 12. MTTF Factor versus Junction Temperature
1
VDD
250
108
90
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
This above graph displays calculated MTTF in hours when the device
is operated at VDD
= 28 Vdc, P
out
= 28 W Avg., and
ηD
= 25%.
MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select
Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF
calculators by product.
107
106
105
110 130 150 170 190
MTTF (HOURS)
210 230
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